Partnerzy
W projekcie udział biorą pracownicy dwóch instytutów badawcznych Polskiej Akademii Nauk. Korordynatorem Projektu jest Instytut Maszyn Przepływowych im. Roberta Szewalskiego PAN.
![]() |
Zakład Zastosowań Techniki Plazmowej i Laserowej
Instytutu Maszyn Przepływowych im. Roberta Szewalskiego PAN w Gdańsku
Adres internetowy: http://imp.gda.pl/
|
|
Zespół IMP PAN ma wieloletnie doświadczenie w konstrukcji urządzeń do laserowej mikroobróbki.
Ich umiejętności doceniono Złotym Medalem w roku 2008 na Międzynarodowych Targach Poznańskich w kategorii
„Transfer Wyników Badań Naukowych do Praktyki Gospodarczej”. Grupa z IMP PAN jest odpowiedzialna w projekcie za konstrukcję układu
optomechanicznego do pozycjonowania i obróbki materiału oraz integracją wszystkich podzespołów w jedno urządzenie.
Zespołem kieruje prof. dr hab. inż. Jerzy Mizeraczyk.
|
|
![]() |
Centrum Laserowe
Instytutu Chemii Fizycznej PAN w Warszawie
Adres internetowy: http://ichf.edu.pl
|
|
Zespół, jako jedyny w Polsce, specjalizuje się w budowie laserów femtosekundowych.
Ma na swoim koncie liczne konstrukcje laserowe takie jak oscylatory femtosekundowe,
wzmacniacze impulsów typu CPA, parametryczne wzmacniacze typu OPCPA oraz typu NOPA.
Zespół dysponuje szerokim wachlarzem technik dotyczących wytwarzania, kształtowania, charakteryzacji oraz
wykorzystywania impulsów femtosekundowych. Grupa z IChF PAN jest odpowiedzialna w projekcie
za budowę impulsowego lasera femtosekundowego o wysokiej mocy średniej.
Zespołem kieruje prof. dr hab. Czesław Radzewicz.
|
|
Materiały dla partnerów dostępne tutaj (wymagane logowanie).
Projekt współfinansowany przez ze środków Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka
Aktualności
07.10.2010
Opracowano szczegółowy projekt urządzenia, uwzględniający wszystkie jego podzespoły, oraz moduł do transmisji promieniowania laserowego. Jednocześnie rozpoczęły się ...
11.02.2010
Zbudowano oscylator femtosekundowego na krysztale Yb:KYW uzyskując następujące parametry: moc średnia powyżej 100 mW, czas trwania impulsów < 300 fs, częstość repetycji ...

